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17.액정 박막 및 나노입자 조립체의 제조방법 Korea: 10-2016-0068711

16. Alignment method of liquid crystal and method of preparing liquid crystal cell/ 액정배향방법 및 액정셀의 제조방법 Korea: 10-2016-0143510
 

15. Method for fabricating nanoparticle clusters/ 나노입자 조립체의 제조방법 Korea: 10-2016-0141159

14. Photo-luminescence liquid crystal compound/ 광발광 액정 화합물 Korea: 10-2016-0182198

13. Method of Dichroic Polarizing Light-emitting Film Using Ferroelectric Liquid Crystal Molecule Have Luminescence Properties and Liquid Crystal Display Comprising the Same/ 광발광 강유전성 액정 분자를 이용한 편광 발광막 제조방법 및 이를 포함하는 액정 디스플레이 Korea: 10-2016-0115457, "US: 15/296,848"

12. Method of Preparing Coating Layer of Lyotropic Chromonic Liquid Crystal for Multi-Domain Liquid Crystal Alignment/ 다중 도메인 액정 배향을 위한 유방성 크로모닉 액정 코팅막의 제조방법 Korea: 10-2016-0033332

11. Method of Dichroic Polarizing Light-emitting Film Using Ferroelectric Liquid Crystal Molecule Have Luminescence Properties and Liquid Crystal Display Comprising Dichroic Polarizing Light-emitting Film/ 발광 특성을 가지는 강유전성 액정분자를 이용한 이색 편광 발광막 제조방법과 이색 편광 발광막을 포함하는 액정 디스플레이 Korea: 10-2015-0146225

10. 나노 구조체 제작을 위한 DNA 템플릿 개발 방법 Korea: 10-2015-0082789

09. Method of Fabricating Nanoparticle Clusters Array Using Thermally Transformation of Sublimed Liquid Crystal Film/ 승화성 액정박막의 열적 변형을 이용한 나노입자 조립체의 제조방법 Korea: 10-2015-0078204, "US: 14/927,926"

08. Method of Preparing Three Dimensional Nanostructure and Three Dimensional Chiral Nanostructure/ 3차원 나노구조체의 제조방법 및 이로부터 제조된 3차원 카이랄 나노구조체 Korea: 10-2014-0093515

07. 마이크로-나노 이중 거침구조를 포함하는 초발수 표면구조체 및 그 제조방법 Korea: 10-2013-0157260

06. Method for fabricating micro- or nano-sized patterns using liquid crystal phase and defect structure/ 액정상과 결함구조를 이용한 마이크로- 나노구조 형성 방법 Korea: 10-2010-0097903

05. Method of forming fine pattern using block copolymer/ 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 Korea: P2008-138549 "US: 12/591,427"

04. BCP lithography method using graphoepitaxy mold/ 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 Korea: P2008-0009059; "US: 12/235,361 (2008.09.22) JP: 2008-252906 (2008.09.30)"

03. BCP lithography method using ABC triblock copolymer/ 적어도 세 개의 고분자 블록을 구비하는 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 Korea: P2007-0131049, "US: 12/283,449 (2008.09.12) JP: 2008-310857 (2001.12.05) CN: 200810183747.X (2008.12.15)"

02. Method for fine patterning semiconductor device/ 반도체 소자의 패턴 형성 방법 Korea: P2008-138548 "US: 12/655,344"

01. Method of fine patterning semiconductor device/ Korea: P2008-0001824-30784 "US: 12/217,784 (2008.07.09) JP: 2008-251250 (2008.09.29) CN: 200810171011.0 (2008.10.31)"